存储芯片市场正迎来久违的暖意。过去两年，受消费电子需求疲软、库存积压等因素影响，DRAM和NAND Flash价格一路走低，三星、SK海力士、美光三大巨头都经历了营收缩水甚至亏损的阵痛。但从去年下半年开始，局面逐渐扭转。随着AI服务器、高端智能手机对高带宽内存（HBM）和大容量存储的需求飙升，存储芯片价格触底反弹，美光和SK海力士已连续多个季度实现营收增长，行业景气度明显回升。
这一轮涨价的核心驱动力来自人工智能。大模型训练和推理需要海量算力，而HBM作为与GPU紧密耦合的高性能内存，成了AI芯片的标配。SK海力士率先量产HBM3E，几乎垄断了英伟达H100、H200等热门GPU的订单。美光也不甘落后，其HBM3E产品已通过英伟达认证并开始供货。HBM的单价比普通DDR5高出数倍，且产能高度紧张，直接拉动了两家公司的营收和利润。与此同时，主流DRAM和NAND Flash因产能被HBM挤占，加上原厂主动减产控价，普通消费级存储芯片的价格也从去年四季度起稳步上扬。
具体到两家企业的财务表现，SK海力士今年第一季度营收达到12.43万亿韩元，同比大涨144%，营业利润更是扭亏为盈，创下历史同期第二高纪录。其HBM销售额同比翻了五倍以上，占DRAM总收入的比重持续提升。美光公布的2024财年第二季度财报（截至2月29日）显示，营收58.24亿美元，同比增长58%，净利润7.93亿美元，相比去年同期亏损23亿美元实现华丽转身。美光CEO梅赫罗特拉在财报电话会上表示，2024年HBM产品已全部售罄，2025年产能也已基本确定，价格谈判对供应商非常有利。
不过，行业复苏并非一片坦途。消费电子市场整体需求依然疲软，PC和手机出货量恢复缓慢，普通DRAM和NAND Flash的涨幅有限。另外，三星也在加速追赶HBM产能，如果后续HBM供应瓶颈缓解，价格可能面临回调压力。但短期内，AI带来的结构性需求增量依然强劲，美光和SK海力士的营收增长趋势大概率会延续到年底。
总体来看，存储芯片价格回暖是供需两端共同作用的结果：AI拉高了高价值产品的需求，原厂顺势调整产品结构，降低低端芯片产出，最终抬升了整个行业的价格中枢。对于美光和SK海力士来说，HBM无疑是眼下的金矿，而谁能持续保持技术领先和产能扩张，谁就能在下一个周期里分到最大的一块蛋糕。
